魅蓝E3的储存硬件配置和不少的高端手机看齐。可以让手机的性能得到更好的发挥。机身储存方面更推出了128GB的版本。
骁龙636处理器采用了高通自主的Kryo 260架构，8颗核心，4颗大核频率最高为1.8GHz，4颗小核频率最高为1.6GHz，GPU升级到Adreno 509，对比骁龙625，骁龙636的CPU与GPU性能均大幅提升40%。
魅蓝E3并没有使用魅蓝Note6上的景深方案，而是采用了变焦方案，支持2.5倍的无损变焦。同时，1200万像素的摄像头采用了索尼的IMX362传感器，拥有f1.8大光圈，加上虹软的算法，让魅蓝E3的双摄拥有更为自然的虚化效果。
魅蓝E3前置摄像头采用三星800万像素cmos，同样支持虹软美颜算法，F/2.0的光圈既能够保证锐度，又有足够景深。
魅蓝E3依然在摄像头方面不留余力，后置双摄之主摄采用1200万像素的索尼IMX362传感器，光圈达到了F/1.9副摄则是2000万像素的IMX350，后置双摄依然延续双像素对焦和虹软算法。
魅蓝E3快充及续航测试：
魅族在2017年的MWC上展出了Super mCharge快充技术，55W的功率能在20分钟充满3000mAh的电池，经过1年多的时间，首台支持Super mCharge的手机诞生了，这就是魅蓝E3。
魅蓝E3上使用的Super mCharge并不是完整版，采用了10V/2A的高压直充方案，提供20W的充电功率，更重要的是使用Super mCharge后的魅蓝E3充电时的发热大大降低，随意魅蓝E3的Super mCharge改名为Cold mCharge。
魅蓝e3是拥有高功率低压直充方案在充电时对数据线、USB 端口承载过大电流而造成的发热现象，魅族率先提出了"电荷泵技术"，将原来用于手机 LED 闪光灯上的超小功率元器件成功大功率化，通过结构改进控制芯片面积，融入手机当中，相比低压直充所用的芯片方案，效率直接提升 9% 以上。
